Научные работники
Гавриков Антон Андреевич
Гавриков Антон Андреевич
Должность:
научный сотрудник
Ученая степень и звание:
кандидат физико-математических наук, ученого звания не имеет
Кафедра:
отдел функциональных и перспективных материалов
Образование:
ФГОУ ВПО "Санкт-петербургский государственный университет"
| № п/п | Наименование проекта | Роль в проекте | Источник финансирования | Сроки реализации |
|---|---|---|---|---|
| 1 | Первопринципный дизайн функциональных халькогенидных двумерных полупроводников для устройств нано- и оптоэлектроники, включая гибкую электронику | Исполнитель | РНФ | 2022-2024 |
| 2 | Функциональные материалы на основе низкоразмерных, слоистых и композитных структур | Исполнитель | Министерство просвещения РФ (государственное задание) | 2023-2025 |
| 3 | Многофакторный прецизионный контроль структуры пленок фазопеременных халькогенидов для нейроморфных систем и приборов на их основе | Исполнитель | РНФ | 2026-2027 |
| № п/п | Содержание деятельности | Период | Роль |
|---|---|---|---|
| 1 | Участие в организации и проведении дня открытых дверей РГПУ им. А.И. Герцена (2 ноября 2023 г.) | 2023 | Организатор |
| 2 | Участие в работе приемной комиссии Института физики РГПУ им. А.И. Герцена | 2023 | Исполнитель |
| № п/п | Название мероприятия | Сроки проведения мероприятия | Программный/организационный комитет | Роль |
|---|---|---|---|---|
|
Не принимал(-а) участия в организации научных мероприятий на базе РГПУ им. А. И. Герцена в качестве члена организационного или программного комитета.
|
||||
Уважаемый преподаватель, если Вы не обнаружили свои публикации или данные о наукометрических показателях, обратитесь, пожалуйста, в фундаментальную библиотеку с помощью специальной формы передачи данных.
| Наименование публикации | Ссылки |
|---|---|
| Колобов А. В. Фотостимулированные процессы в халькогенидах: от пассивных оптических элементов до нейроморфных оптических систем / Колобов А. В. // Физико-математическое и технологическое образование: проблемы и перспективы развития : материалы XI Всероссийской (с международным участием) научно-методической конференции, посвященной 110-летию со дня рождения крупного российского физика Б. М. Яворского, Москва, 3–5 марта 2025 года / Московский педагогический государственный университет. — Москва, 2026. — С. 177-178. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=91605466. Объем в п.л.: 0,25 п.л. | |
| Влияние толщины слоя на оптические параметры фазопеременного материала Sb2Te3 = The Effect of Layer Thickness on the Optical Parameters of Phase-Change Material Sb2te3 / Гавриков А. А., Кузнецов Д. В., Дядькина Н. Е., Колобов А. В. ; А. А. Гавриков, В. Г. Кузнецов, Н. Е. Дядькина, А. В. Колобов // Физика и техника полупроводников. — 2026. — Том 60, N 1. – С. 31-38. — DOI: 10.61011/FTP.2026.01.62900.8774. Объем в п.л.: 1,0 п.л. | |
| Кузнецов В. Г. Выяснение особенностей зонной структуры нанопластин HgTe в ультратонком пределе / Кузнецов В. Г., Гавриков А. А., Колобов А. В. // Физика твердого тела. — 2025. — Том 67, выпуск 11. – С. 2065-2073. — DOI: 10.61011/FTT.2025.11.62130.255-25. Объем в п.л.: 1,125 п.л. | |
| Gavrikov A. A. Band Gap Variation of 2D CdTe Slabs in the Sphalerite Phase and in the Phase with Boundary Chalcogen Atoms / Gavrikov A. A., Kuznetsov V. G., Kolobov A. V. // Semiconductors. — 2024. — Volume 58, N 2. – P. 120-123. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134/S1063782624020040. — DOI: 10.1134/S1063782624020040. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
|
| Gavrikov A. A. As4Se4 crystal versus As4Se4 molecule: A plane wave DFT study of the geometric and electronic structure / Gavrikov A. A., Kuznetsov V. G., Trepakov V. A. // Physics of Complex Systems. — 2024. — Volume 5, N 2. – P. 91-103. — URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=73162534. — DOI: 10.33910/2687-153X-2024-5-2-91-103. Объем в п.л.: 1,625 п.л. |
Полный текст:
https://elibrary.ru/item.asp?id=73162534
|
| Гавриков А. А. Контраст оптических свойств кристаллической и аморфной фаз VTe2 : исследование из первых принципов / Гавриков А. А., Кузнецов В. Г., Колобов А. В. // Химия твёрдого тела и функциональные материалы 2024 : тезисы докладов XIII Всероссийской конференции с международным участием, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2024 года. — 2024. — С. 265. Объем в п.л.: 0,125 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Гавриков А. А. Варизонность 2D слоев CdTe в фазе сфалерита и в фазе с граничными атомами халькогена = Band Gap Variation of 2D CdTe Slabs in the Sphalerite Phase and in the Phase with Boundary Chalcogen Atoms / Гавриков А. А., Кузнецов В. Г., Колобов А. В. // Физика и техника полупроводников. — 2023. — Том 57, N 8. – С. 632-635. — DOI: 10.61011/FTP.2023.08.56958.5153C. Объем в п.л.: 0,5 п.л. | |
| Amorphous As2S3 Doped with Transition Metals : An Ab Initio Study of Electronic Structure and Magnetic Properties / Kuznetsov V. G., Gavrikov A. A., Krbal M., Trepako V. A., Kolobov A. V. ; V. G. Kuznetsov, A. A. Gavrikov, M. Krbal, V. A. Trepakov, A. V. Kolobov // Nanomaterials. — 2023. — Volume 13, issue 5. - Article 896. — URL: https://www.mdpi.com/2079-4991/13/5/896. — DOI: 10.3390/nano13050896. |
Полный текст:
https://www.mdpi.com/2079-4991/13/5/896
DOI:
10.3390/nano13050896
|
| Kuznetsov V. G. Band Gap Engineering in Ultimately Thin Slabs of CdTe with Different Layer Stackings / Kuznetsov V. G., Gavrikov A. A., Kolobov A. V. // Materials. — 2023. — Volume 16, Issue 23. - Article 7494. — URL: https://www.mdpi.com/1996-1944/16/23/7494. — DOI: 10.3390/ma16237494. |
Полный текст:
https://www.mdpi.com/1996-1944/16/23/7494
DOI:
10.3390/ma16237494
|
| Erratum to "Electronic properties of ultrathin films based on pyrrolofullerene molecules on the surface of oxidized silicon" (Physics of the solid state, (2014), 56, 8 (1659), 10.1134/s1063783414110328) / Komolov A. S., Lazneva E. F., Gerasimova N. B., Gavrikov A. A., Khlopov A. E., Akhremchik S. N., Zimina M. V., Panina Y. A., Povolotskiy A. V., Konev A. S., Khlebnikov A. F. ; Komolov A. S., Lazneva E. F., Gerasimova N. B., Gavrikov A. A., Khlopov A. E., Akhremchik S. N., Zimina M. V., Panina Y. A., Povolotskiy A. V., Konev A. S., Khlebnikov A. F. // Physics of the Solid State. — 2014. — Volume 56, Issue 11. – P. 2366. Объем в п.л.: 0,125 п.л. | |
| Электронные свойства сверхтонких пленок на основе молекул пирролофуллерена на поверхности окисленного кремния = Electronic properties of ultrathin films based on pyrrolofullerene molecules on the surface of oxidized silicon / Комолов А. С., Лазнева Э. Ф., Герасимова Н. Б., Гавриков А. А., Хлопов А. Е., Ахремчик С. Н., Зимина М. В. ; Комолов А. С., Лазнева Э. Ф., Герасимова Н. Б., Гавриков А. А., Хлопов А. Е., Ахремчик С. Н., Зимина М. В. // Физика твердого тела. — Санкт-Петербург, 2014. — Том 56, N 8. – С. 1608-1612. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/40695. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |